面对慕景池说道：“他的研究比我要好，进展顺利得多。”
“现在我们国家在第三代半导体上面已经是国际水平了，虽然和日本、欧洲和美国某些方面还有差距，但并不大，追赶起来还算是顺利。”
很多人一说起半导体，首先想到的就是手机电脑上的硅芯片，但那是第一代半导体。
第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP。
还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
而第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
其应用领域覆盖光电子、显示、消费电子、航空航天以及国防军工等。
特别是国防军工领域，第三代半导体有着极其突出的应用优势。
比如，诺斯罗普·格鲁曼公司便向美国海军陆战队交付采用大功率、高效率GaN天线技术的AN/TPS-80地/空多任务雷达（G/ATOR）系统。
GaN天线技术可降低成本，并提高系统灵敏度和可靠性等多项性能，该雷达系统是先进的有源相控阵多任务雷达，可实时、360°全方位感知并应对直升机、无人系统、火箭炮等多种威胁。
与现役雷达相比，不仅具备多任务能力，运维成本也比较低。
还
第0192章 第三代半导体材料（1/4）(4/6)