迁到2p空轨道上，这个过程称为激发。
但这个时候各个轨道的能量并不完全相同，于是1个2s轨道和3个2p轨道“混合”起来，形成能量相等、成分相同的4个sp3杂化轨道
然后4个sp3杂化轨道上的电子间相互排斥，使四个杂化轨道指向空间距离最远的正四面体的四个顶点, 碳原子的4个sp3杂化轨道分别与4个h原子的1s轨道形成4个相同的σ键，从而形成ch4分子。
由于四个c-h键完全相同，所以形成的ch4分子为正四面体, 键角10928＇。
而之所以要这样做，好处在于杂化轨道形成的化学键的强度更大，体系的能量更低，可以更进一步的提高材料的稳定性。
这种手段应用在石墨烯单晶晶圆材料上，能极为有效的稳定晶圆的性能，弥补石墨烯材料的缺点。
众所周知，石墨烯材料优点很多，比如在非常薄的情况下具有非常硬的属性，韧性极高，导电性好等等。
因此它的用途极多，也非常广泛。
从光学、电学、力学特性，再到材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面都具有相当广阔的应用前进。
但优异的性能背后自然有着缺点。
除了大规模生产石墨烯非常困难且昂贵外，墨烯与氧气和热量（共同）具有很高的反应性。
由于石墨烯具有良好的导热性能，但其本身并不那么稳定，尽管后面科学家找了使用cvd这种可以生产大量的石墨烯方法。
但是无法在有氧环境中稳定存在是石墨烯巨大的缺点，包括韩元制备成的石墨烯单晶晶圆材料。
如果它在高温下
第四百一十六章：轨道杂化-石墨烯带隙问题(3/8)