装成了最终可用于石墨烯单晶晶圆上的光刻胶。
成型的光刻胶整体半透明，带着微微乳白色，透光度相当高。
韩元保存好大部分的光刻胶后，取了一小部分做了个实验。
之前制备完成切割好的石墨烯单晶晶圆取出来一小片，其中一半的面积涂抹上光刻胶，另一半则保持原样。
处理好后的石墨烯单晶晶圆通过紫外光源进行照射，时间为期三十秒。
三十秒的照射时间过后，韩元将其取出, 通过特殊溶液清洗掉上面覆盖的碳基光刻胶，然后浸入显影溶液中。
虽然浸泡在溶液中的石墨烯晶圆肉眼看不出什么变化，但当韩元用镊子夹住晶圆在显影溶液中轻轻晃荡的时候，就可以看到显影溶液的颜色变化了。
那是被显影溶液侵蚀掉并冲走了的石墨烯材料导致的。
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将石墨烯晶圆从显影溶液中取出，清晰掉上面残留的液体，透过观察设备，可以清晰的看到这一块石墨烯晶圆表面已经有了相当大的变化。
没有被碳基光刻胶覆盖的区域已经被显影溶液侵蚀的差不多了，而覆盖了光刻胶的另一半则并没有什么太明显的变化。
这就是负性光刻胶的功劳了。
它覆盖在石墨烯单晶晶圆表面后，通过紫外光照，可以在短时间内迅速变态，改变覆盖区域的石墨烯结构，增强其对显影溶液的抗性，让其变得不容易被侵蚀。
而没有覆盖光刻胶的地方，就会被侵蚀掉，形成与遮光物的形状相反的样子。
也就是形成掩膜版相反的模样。
这就是芯片通过光刻机雕刻的最主要原理，也是光刻胶在芯片制
第四百一十三章：性能优异的碳基光刻胶(2/8)