高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求。
对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了。
而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的。
他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’。
因为他手中并没有离子注入机这种高科技东西，但这种晶体管又离不开n-漂移层。
所以他只能想办法进行替代。
离子掺杂就是他想到的办法。
这是一种合金工艺上的技术。
通过对应的化学药剂来将一种金属镀在另外一种金属表面。
最早其实出现在合金的冶炼上，后面被广泛的应用到陶瓷、玻璃、复合物、聚合物等材料上。
不过相比较现代化的离子掺杂技术，韩元对此做出了一些改进。
比如玻璃容器中导电，在原本的离子掺杂中是没有这一个步骤的。
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玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作为基地的溶液形成了电解液，溶液中的铝离子通过加热，通电，可以在碳化硅晶体上形成薄而相对均匀的掺杂层。
掺杂出来的n-漂移层也能起到足够的作用，不过需要进行多次重复处理。
尽管掺杂法需要多次电解掺杂和淬火，而且在均匀性和深度上远远无法和离子注入相比。
但对于目前的他来说，这是最合适，也是最简单的办法了。
随着酒精灯的不断加热，溶液中的水分被不断的蒸发掉，容器中的铝离子溶液也逐渐开始变得粘稠。
等到溶液已经无法覆盖碳化硅晶体基底的时候，
第一百八十五章：N-漂移层(1/4)