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漫长的时间中，氢氟酸会将没有石蜡保护部分的碳化硅中的硅分子腐蚀掉，方便后续铝离子的嵌入以及极点的镶嵌。
这种做法，是他理解原始晶体管以及集成电路制备方法后结合定下来的。
虽然他现在没有光刻机，也暂时没法制造集成晶体板。
但这并不代表他不能使用集成晶体的制造方式来制造碳化硅晶体管。
相对比原始晶体管，这种方式制备的碳化硅半导体晶体管体积更小，也更加稳定。
而且因为应用了集成电路的侵蚀镀刻，在功率、响应效率和使用寿命上也更加强大。
如果说原始的晶体管需要五千颗才能达到每秒百万次的运算量的话。
那这种碳化硅晶材加特殊手法制备的晶体管大概两千多颗就够了。
虽然数量上还是很庞大，但相对比电子管动辄百万颗的数量来说，两千颗晶体管已经很少了。
等待了三十分钟，韩元将被侵蚀的差不多的碳化硅晶材用清水清晰干净，然后再重复几次这个步骤。
氢氟酸虽然能侵蚀碳化硅，但需要多次重复侵蚀才能达到他的要求。
需要的时间自然就很漫长了。
耗费了一上午的时间，三十颗粗加工的碳化硅晶材才处理完成。
这些晶材依旧使用功能的不同，形状不同，被侵蚀的部位也不同，而且需要侵蚀的程度也不同。
处理好这些碳化硅晶材后，韩元先弄了点午餐，吃完后就立刻回到了实验室，并没有按照以前的方式休息一会。
他现在想尽快完成这个二级任务。
回到化学实验室，韩元从储物间中取出来硫酸、硝酸等一些
第一百八十三章：制备碳化硅晶体管(3/4)